三星公司Samsung今天發(fā)布公告，針對(duì)設(shè)備端本地運(yùn)行 AI 的需求，特別研發(fā)了 LLW（Low Latency Wide IO）DRAM，其性能優(yōu)于現(xiàn)有的 LPDDR 解決方案。
LLW DRAM 通過垂直集成存儲(chǔ)器和邏輯電路，從而實(shí)現(xiàn)更高的效率和延遲。
三星半導(dǎo)體今天通過官方 X 平臺(tái)賬號(hào)，發(fā)布了一段關(guān)于 LLW DRAM 的介紹視頻，該 DRAM 刻適用于智能手機(jī)、筆記本電腦和 VR 頭顯。
三星在今年年初的 Tech Day 上首次展示了 LLW DRAM，然后在 Memory Tech Day 上再次展示了其 LPDDR5X CAMM2 解決方案。
除此之外，該視頻還展示了一款集成了 LLW DRAM 的手機(jī)，因此，未來的 Galaxy 設(shè)備似乎可能會(huì)采用相同的解決方案，從而提高性能。
廣告中展示的手機(jī)確實(shí)與當(dāng)前一代三星設(shè)備非常相似，應(yīng)該是即將推出的 Galaxy S24 系列。
三星也不是第一家實(shí)施 LLW 的公司，蘋果的 Vision Pro 頭顯使用扇出晶圓級(jí)封裝（FOWLP），將 R1 芯片與 LLW DRAM 封裝在一起。
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