傳聞蘋(píng)果Apple考慮升級(jí)iPhone 16存儲(chǔ)技術(shù):從TLC轉(zhuǎn)向QLC

傳聞蘋(píng)果Apple考慮升級(jí)iPhone 16存儲(chǔ)技術(shù):從TLC轉(zhuǎn)向QLC

據(jù)報(bào)道,蘋(píng)果Apple正在考慮在iPhone 16系列中升級(jí)其高容量閃存類(lèi)型,從目前使用的TLC NAND閃存存儲(chǔ)轉(zhuǎn)向QLC NAND閃存存儲(chǔ)。這一變化可能會(huì)降低生產(chǎn)成本,但可能會(huì)對(duì)性能產(chǎn)生一定影響。

據(jù)了解,QLC NAND閃存具有更高的存儲(chǔ)密度,可以在每個(gè)內(nèi)存單元中存儲(chǔ)四位數(shù)據(jù),而不是三位。這使得QLC NAND閃存在使用相同數(shù)量的單元時(shí)可以存儲(chǔ)比TLC更多的容量,從而降低了生產(chǎn)成本。然而,由于每個(gè)單元多包含一位,因此QLC的寫(xiě)入耐久性可能會(huì)降低。

對(duì)于消費(fèi)者而言,這一變化可能會(huì)對(duì)1TB或更高容量的iPhone 16型號(hào)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度產(chǎn)生影響。然而,對(duì)于大多數(shù)用戶來(lái)說(shuō),這種差異可能不會(huì)太明顯。

目前尚不清楚蘋(píng)果是否會(huì)最終實(shí)施這一計(jì)劃。如果實(shí)施,預(yù)計(jì)將在未來(lái)的iPhone型號(hào)中看到這一變化。

總體而言,這一變化可能會(huì)對(duì)蘋(píng)果Apple的存儲(chǔ)成本產(chǎn)生積極影響,但可能會(huì)對(duì)性能產(chǎn)生一定影響。對(duì)于消費(fèi)者來(lái)說(shuō),選擇使用哪種存儲(chǔ)類(lèi)型將需要在成本和性能之間做出權(quán)衡。

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