隨著大選的臨近，拜登政府計(jì)劃在3月底前宣布發(fā)放《芯片法案》的第三筆補(bǔ)貼，總額高達(dá)530億美元。這一舉措旨在加快美國(guó)各地新工廠的建設(shè)，特別是針對(duì)先進(jìn)制程半導(dǎo)體技術(shù)的投資。英特爾、臺(tái)積電等半導(dǎo)體巨頭有望獲得數(shù)十億美元的補(bǔ)貼，以推動(dòng)其在美國(guó)的擴(kuò)張計(jì)劃。
與前兩筆補(bǔ)貼不同，第三筆補(bǔ)貼將更加聚焦于先進(jìn)制程技術(shù)，主要針對(duì)生產(chǎn)用于智能手機(jī)、人工智能等先進(jìn)芯片的制造公司。這一策略旨在確保美國(guó)在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，并減少對(duì)國(guó)外供應(yīng)鏈的依賴。
盡管拜登政府在2022年簽署了《芯片法案》，但一年多來(lái)，政府尚未向大型芯片廠商提供其此前承諾的補(bǔ)貼或優(yōu)惠。然而，預(yù)計(jì)在3月7日前，拜登將宣布這一重要消息，以進(jìn)一步刺激先進(jìn)制成芯片的生產(chǎn)。
英特爾和臺(tái)積電是最有可能獲得補(bǔ)貼的廠商。英特爾計(jì)劃在美國(guó)俄勒岡州、亞利桑那州、新墨西哥州和俄亥俄州升級(jí)或新建工廠，總投資額超過(guò)435億美元。臺(tái)積電則計(jì)劃在亞利桑那州鳳凰城附近建設(shè)兩家芯片工廠，總投資額為400億美元。
然而，臺(tái)積電在美國(guó)的項(xiàng)目頻頻遭遇挫折。由于美國(guó)政府的激勵(lì)措施和稅收補(bǔ)貼政策存在不確定性，臺(tái)積電已經(jīng)推遲了在亞利桑那州工廠的建設(shè)進(jìn)度。原本計(jì)劃在2026年投產(chǎn)的第二座工廠，現(xiàn)在預(yù)計(jì)要到2027年或2028年才能投產(chǎn)，比臺(tái)積電此前預(yù)計(jì)的時(shí)間晚了至少一年。此外，臺(tái)積電高管還指出，該工廠生產(chǎn)的具體芯片類型尚未確定。
去年7月，臺(tái)積電已經(jīng)宣布推遲其在美國(guó)第一個(gè)工廠的建設(shè)，將其投產(chǎn)時(shí)間從此前公布的2024年推遲到2025年。臺(tái)積電當(dāng)時(shí)聲稱，該工廠的建設(shè)面臨缺乏熟練的勞動(dòng)力和成本走高等問(wèn)題。據(jù)臺(tái)積電首席財(cái)務(wù)官黃仁昭表示，由于第一家工廠遭遇挫折，臺(tái)積電推遲了第二家工廠的建設(shè)。
面對(duì)挑戰(zhàn)，臺(tái)積電正重新評(píng)估在美國(guó)的投資計(jì)劃。一方面，高昂的成本和缺乏熟練勞動(dòng)力是亟待解決的問(wèn)題；另一方面，美國(guó)政府的激勵(lì)措施和稅收優(yōu)惠政策也存在不確定性。這些因素使得臺(tái)積電在美國(guó)的投資前景充滿了變數(shù)。
盡管如此，拜登政府的《芯片法案》仍然為美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了重要的資金支持。隨著政府加大對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投入，美國(guó)有望在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)上取得更大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。然而，如何克服高昂的成本和人力資源挑戰(zhàn)，以及如何與國(guó)際伙伴進(jìn)行有效的合作，將是拜登政府需要深思的問(wèn)題。
總之，拜登政府的《芯片法案》第三筆補(bǔ)貼將為美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新的活力。然而，政府和企業(yè)仍需面對(duì)諸多挑戰(zhàn)，以確保這一戰(zhàn)略的成功實(shí)施。通過(guò)加強(qiáng)國(guó)際合作、優(yōu)化政策環(huán)境和提高勞動(dòng)力技能，美國(guó)有望在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)上保持領(lǐng)先地位，并促進(jìn)經(jīng)濟(jì)的可持續(xù)發(fā)展。
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