據(jù)報道，三星將在即將到來的2024年IEEE國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。其中，一款超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片備受矚目。
這款大容量32Gb DDR5DRAM采用12納米(nm)級工藝技術(shù)開發(fā)，封裝尺寸不變的情況下容量翻倍，相較于16Gb DDR5DRAM提供了更高的性能和更大的存儲空間。
三星電子內(nèi)存產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁SangJoonHwang表示，這款12nm級32GbDRAM的推出，將為人工智能和大數(shù)據(jù)時代提供理想的高容量DRAM解決方案。他強(qiáng)調(diào)，通過差異化的工藝和設(shè)計技術(shù)開發(fā)DRAM解決方案，三星將繼續(xù)突破內(nèi)存技術(shù)的極限。
與之前使用16GbDRAM制造的DDR5128GBDRAM模塊相比，新的32GbDRAM不需要使用硅通孔(TSV)工藝，使得在不降低性能的情況下降低功耗約10%。這對于正在應(yīng)對人工智能不斷增長的能源需求的數(shù)據(jù)中心來說，是一個重要的進(jìn)步。
此外，三星最新的DDR5技術(shù)還支持在單通道配置下以DDR5-8000速度創(chuàng)建32GB和48GBDIMM，以及在雙通道配置下的64GB和96GBDIMM。這進(jìn)一步擴(kuò)大了其在高性能內(nèi)存市場的競爭優(yōu)勢。
總的來說，三星的這款32GbDDR5內(nèi)存芯片不僅提升了存儲容量和性能，還在降低功耗方面取得了重要突破。這表明三星正致力于滿足人工智能和大數(shù)據(jù)時代對高容量DRAM日益增長的需求，并持續(xù)推動內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
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