近日，美國(guó)商務(wù)部與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商臺(tái)積電達(dá)成不具約束力的初步備忘錄，旨在支持后者在亞利桑那州鳳凰城建設(shè)第三座晶圓廠。根據(jù)美國(guó)《芯片法案》，美國(guó)政府將向臺(tái)積電提供高達(dá)66億美元的直接資金補(bǔ)貼，以推動(dòng)其在美國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資。
臺(tái)積電此次在美國(guó)的投資計(jì)劃總金額將超過650億美元，預(yù)計(jì)在未來十年內(nèi)將為亞利桑那州創(chuàng)造6000個(gè)直接工作崗位和數(shù)以萬計(jì)的間接崗位，同時(shí)還將帶動(dòng)超過20000個(gè)單次建筑業(yè)相關(guān)崗位。美國(guó)政府也計(jì)劃利用《芯片法案》資金，投入5000萬美元用于培訓(xùn)和發(fā)展當(dāng)?shù)亟ㄖ桶雽?dǎo)體行業(yè)的勞動(dòng)力，以支持這一重要項(xiàng)目的實(shí)施。
據(jù)悉，臺(tái)積電在美國(guó)的首座晶圓廠將采用4nm FinFET工藝，預(yù)計(jì)于2025年上半年開始量產(chǎn)。第二座晶圓廠則計(jì)劃在3nm工藝的基礎(chǔ)上，引入更為先進(jìn)的2nm GAA工藝，計(jì)劃于2028年投產(chǎn)。而此次新建設(shè)的第三座晶圓廠，將根據(jù)市場(chǎng)及客戶需求，提供2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)，進(jìn)一步鞏固臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
此外，美國(guó)政府還計(jì)劃為臺(tái)積電提供最高可達(dá)50億美元的貸款，以支持其在美國(guó)的晶圓廠建設(shè)。臺(tái)積電方面也計(jì)劃向美國(guó)財(cái)政部申請(qǐng)符合條件的資本支出25%的投資稅收抵免，以降低其在美國(guó)的投資成本。
臺(tái)積電此舉不僅標(biāo)志著其在美國(guó)業(yè)務(wù)的進(jìn)一步擴(kuò)張，也體現(xiàn)了美國(guó)政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重視和支持。此前，英特爾等知名企業(yè)也獲得了類似的資金扶持，共同推動(dòng)美國(guó)在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。
業(yè)界分析人士認(rèn)為，隨著全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的快速發(fā)展和競(jìng)爭(zhēng)的加劇，臺(tái)積電在美國(guó)設(shè)立晶圓廠將進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位，同時(shí)也將促進(jìn)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，實(shí)現(xiàn)雙贏。
臺(tái)積電此次在美國(guó)的投資計(jì)劃，無疑將為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。未來，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更加廣闊的發(fā)展前景。
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