近日，有臺(tái)媒報(bào)道稱，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商臺(tái)積電已于7月下旬陸續(xù)通知多家客戶，其2025年的5nm和3nm兩大先進(jìn)制程產(chǎn)品將繼續(xù)漲價(jià)。此次漲價(jià)幅度預(yù)計(jì)根據(jù)客戶投片規(guī)模、產(chǎn)品特性及合作關(guān)系等因素，將落在3%至8%的范圍內(nèi)。
報(bào)道指出，臺(tái)積電此番漲價(jià)的背景在于先進(jìn)制程技術(shù)的成本不斷飆升，這使得公司難以長(zhǎng)期維持其既定的53%毛利率目標(biāo)。通過(guò)價(jià)格上漲，臺(tái)積電旨在將部分成本漲幅轉(zhuǎn)移給下游客戶，從而降低實(shí)現(xiàn)財(cái)務(wù)目標(biāo)的難度。據(jù)臺(tái)積電7月18日公布的第二季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，其上一季度毛利率達(dá)到了53.17%。
此外，隨著客戶對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的需求不斷提升，臺(tái)積電也計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)充相關(guān)產(chǎn)能，并在此背景下上調(diào)其CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）服務(wù)的報(bào)價(jià)。這一舉措旨在滿足市場(chǎng)對(duì)高端封裝解決方案的日益增長(zhǎng)需求，并鞏固臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
值得注意的是，臺(tái)積電的兩大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子和英特爾近期分別遭遇了良品率問(wèn)題和虧損困境。這一市場(chǎng)狀況為臺(tái)積電提供了漲價(jià)的底氣，因?yàn)榧幢銉r(jià)格上漲，客戶也難以輕易更換代工廠。臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼總裁魏哲家此前在6月的股東會(huì)上就表示，盡管市場(chǎng)上普遍認(rèn)為臺(tái)積電的價(jià)格最貴，但從客戶實(shí)際拿到的芯片質(zhì)量和性能來(lái)看，臺(tái)積電的價(jià)格與晶圓品質(zhì)確實(shí)優(yōu)于其他廠商，因此仍有上調(diào)價(jià)格的空間。
臺(tái)積電在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力是其敢于漲價(jià)的重要支撐。目前，臺(tái)積電的5nm和3nm制程產(chǎn)品仍是市場(chǎng)上的搶手貨，尤其是在高性能計(jì)算（HPC）和消費(fèi)電子領(lǐng)域。隨著更多客戶采用這些先進(jìn)制程技術(shù)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將繼續(xù)保持其產(chǎn)能的滿載狀態(tài)，并計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能以滿足市場(chǎng)需求。
在資本支出方面，臺(tái)積電也展現(xiàn)出了強(qiáng)勁的擴(kuò)張勢(shì)頭。據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，臺(tái)積電2025年的資本支出有望達(dá)到320億美元至360億美元區(qū)間，同比增長(zhǎng)12.5%至14.3%。這一龐大的投資規(guī)模將主要用于加碼2nm等最先進(jìn)制程的研發(fā)以及現(xiàn)有產(chǎn)能的擴(kuò)建。
臺(tái)積電此次宣布漲價(jià)是在面對(duì)先進(jìn)制程成本上升和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)壓力下的戰(zhàn)略調(diào)整。通過(guò)合理的價(jià)格策略和持續(xù)的產(chǎn)能擴(kuò)張，臺(tái)積電有望在未來(lái)繼續(xù)鞏固其在全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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原創(chuàng)文章，作者：李小白，如若轉(zhuǎn)載，請(qǐng)注明出處：http://rponds.cn/article/672150.html
