近日，SK 海力士宣布已成功量產(chǎn)全球最高的321層1Tb（太比特）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存，再次刷新了NAND閃存堆疊層數(shù)的技術(shù)紀(jì)錄。這款新產(chǎn)品不僅在數(shù)據(jù)存儲容量上有所提升，更在數(shù)據(jù)傳輸速度、讀取性能和能效方面實現(xiàn)了顯著優(yōu)化。
據(jù)悉，與上一代238層NAND閃存產(chǎn)品相比，321層產(chǎn)品在數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能上分別提高了12%和13%，數(shù)據(jù)讀取能效也提升了10%以上。這一技術(shù)突破無疑將為用戶帶來更快的數(shù)據(jù)處理速度和更高效的能源利用。
SK 海力士表示，公司自2023年6月量產(chǎn)當(dāng)前最高的上一代238層NAND閃存產(chǎn)品以來，一直致力于技術(shù)突破和創(chuàng)新。此次成功推出超過300層的NAND閃存，標(biāo)志著SK 海力士在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次取得了重大進(jìn)展。公司計劃從2025年上半年起，正式向客戶提供這款321層NAND閃存產(chǎn)品，以滿足日益增長的市場需求。
在產(chǎn)品開發(fā)過程中，SK 海力士采用了高效的“3-Plug”工藝技術(shù)，成功克服了堆疊層數(shù)增加帶來的技術(shù)挑戰(zhàn)。該技術(shù)通過分三次進(jìn)行通孔工藝流程，并經(jīng)過優(yōu)化的后續(xù)工藝將3個通孔進(jìn)行電氣連接，實現(xiàn)了高效堆疊。同時，SK 海力士還開發(fā)出了低變形材料，并引進(jìn)了通孔間自動排列（Alignment）矯正技術(shù)，進(jìn)一步提升了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。
此外，SK 海力士技術(shù)團(tuán)隊充分利用上一代238層NAND閃存的開發(fā)平臺，將相關(guān)技術(shù)和經(jīng)驗應(yīng)用于321層產(chǎn)品的開發(fā)中。這一舉措不僅縮短了產(chǎn)品開發(fā)周期，還最大限度地減少了工藝變化，使得321層NAND閃存的生產(chǎn)效率相比上一代提升了59%。
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