根據(jù)可靠爆料人 最新消息，英偉達(dá) NVIDIA RTX 50 系列顯卡所采用的 GB200 系列 GPU 將采用臺積電 3nm 工藝。
英偉達(dá)當(dāng)前的 NVIDIA RTX 40 顯卡采用“TSMC 4N”工藝，沒有說明具體是幾 nm 工藝，有報(bào)道稱是定制的 5nm 工藝。英偉達(dá)官方表示，在 TSMC 4N 定制工藝技術(shù)加持下，NVIDIA RTX 40 系列 GPU 實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 2 倍的性能功耗比飛躍。
相比于 5nm 工藝，3nm 工藝在晶體管密度、功耗、性能等方面都有明顯的提升。根據(jù)臺積電的官方數(shù)據(jù)，3nm 工藝的晶體管密度是 5nm 工藝的 1.8 倍，功耗可降低 30%，性能可提升 10%。
除了新工藝外，消息稱 NVIDIA RTX 50 系列顯卡將采用 GDDR7 顯存，最高支持 384bit 位寬，接口包括 HDMI 和 DP 2.1，支持通過 PCIe 5.0 連接，供電采用改進(jìn)版 12V-2×6 16pin 接口，發(fā)布時間可能是 2024 年底或 2025 年。
NVIDIA RTX 50 系列顯卡采用 3nm 工藝是意料之中的事情。隨著摩爾定律的逐漸放緩，晶體管工藝的進(jìn)步是提升芯片性能和功耗效率的重要途徑。
GDDR7 顯存是新一代顯存標(biāo)準(zhǔn)，相比于 GDDR6 顯存，GDDR7 顯存的帶寬和效率都有明顯的提升。384bit 位寬的顯存可以為 NVIDIA RTX 50 系列顯卡提供充足的帶寬，滿足其強(qiáng)大的圖形處理需求。
PCIe 5.0 接口是新一代 PCIe 標(biāo)準(zhǔn)，相比于 PCIe 4.0 接口，PCIe 5.0 接口的帶寬是 PCIe 4.0 接口的兩倍。PCIe 5.0 接口可以為 NVIDIA RTX 50 系列顯卡提供更快的傳輸速度，滿足其高帶寬的需求。
12V-2×6 16pin 供電接口是新一代顯卡供電接口，相比于 12V-8pin 供電接口，12V-2×6 16pin 供電接口可以提供更高的供電功率。NVIDIA RTX 50 系列顯卡的功耗可能將超過 400W，因此需要更高功率的供電接口。
NVIDIA RTX 50 系列顯卡的發(fā)布時間尚未確定，但預(yù)計(jì)將在 2024 年底或 2025 年推出。NVIDIA RTX 50 系列顯卡將采用全新的 3nm 工藝、GDDR7 顯存、PCIe 5.0 接口等技術(shù)，性能和效率將有大幅提升。
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