據(jù)外媒報道，臺積電明年的3nm NTO芯片設計定案數(shù)量將大幅增長，而特斯拉也將成為N3P客戶，預計將以此生產次世代FSD智駕芯片。
臺積電的N3P制程計劃于2024年投產，與N3E相比，其性能提升5%，功耗降低5%~10%，芯片密度提高1.04倍。臺積電表示，N3P的PPA成本和技術成熟度均優(yōu)于Intel 18A制程。
特斯拉已多次在臺積電下單，例如7nm制程的Dojo D1芯片和5nm制程的HW 4.0芯片。隨著第五代FSD芯片歸于臺積電N3P名單，特斯拉有望成為臺積電的第七大客戶，為其營收增長帶來新動力。
特斯拉的FSD（Full Self-Driving）智駕技術是業(yè)內領先的自動駕駛技術之一，而此次與臺積電的合作將進一步提升其技術水平。3nm芯片的高性能和低功耗將為特斯拉的FSD系統(tǒng)提供更強大的計算能力和更低的能耗，有助于提升特斯拉電動汽車的續(xù)航里程和性能。
此次合作也反映了臺積電在半導體制造領域的領先地位。作為全球領先的半導體代工廠商，臺積電將繼續(xù)致力于研發(fā)和生產高性能、低功耗的芯片，以滿足不斷增長的市場需求。
隨著電動汽車和自動駕駛技術的快速發(fā)展，半導體制造將成為未來汽車產業(yè)的核心競爭要素之一。臺積電與特斯拉的合作將進一步推動這一趨勢的發(fā)展，并為全球汽車產業(yè)的創(chuàng)新和升級提供強大的支持。
原創(chuàng)文章，作者：若安丶，如若轉載，請注明出處：http://rponds.cn/article/611593.html
