據(jù)外媒tomshardware報(bào)道,目前3nm芯片屬于業(yè)界主流,蘋果的A17 PRO也是如此,而臺(tái)積電野心并不在此,他們計(jì)劃在2030年推出1nm級(jí)的A10制程,實(shí)現(xiàn)單個(gè)芯片上集成200億個(gè)晶體管。
具體來(lái)說(shuō),根據(jù)臺(tái)積電的計(jì)劃,首先會(huì)在2025年量產(chǎn)2nm級(jí)的N2制程,2026年左右量產(chǎn)N2P制程,屆時(shí)將會(huì)采用新的通道材料、EUV、金屬氧化物ESL、自對(duì)齊線w/Flexible Space、低損傷/硬化Low-K&新型銅填充等技術(shù)。
將實(shí)現(xiàn)單顆芯片集成超過(guò)1000億個(gè)晶體管,同時(shí)借助先進(jìn)的3D封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)單個(gè)封裝集成超過(guò)5000個(gè)晶體管。
在2027年之后,臺(tái)積電還將量產(chǎn)1.4nm級(jí)的A14制程,2030年將量產(chǎn)1nm級(jí)的A10制程,實(shí)現(xiàn)單芯片集成超過(guò)2000億個(gè)晶體管,借助3D封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)單個(gè)封裝內(nèi)集成超過(guò)1萬(wàn)億個(gè)晶體管。
至于隔壁的三星,在去年實(shí)現(xiàn)第一代3nm制程工藝3nm GAA的量產(chǎn),并且有消息稱,三星將在2024年量產(chǎn)MBCFET架構(gòu)的第二代3nm工藝3GAP,在原有的SF3E基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的優(yōu)化,之后還會(huì)有性能增強(qiáng)型的SF3P(3GAP+),更適合制造高性能芯片。
光有3nm還不夠,三星希望能搶先一步臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)2nm,以速度壓倒對(duì)方,從而在新一代制程節(jié)點(diǎn)上獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。目前臺(tái)積電和三星已經(jīng)開始了2nm工藝的研發(fā)和競(jìng)爭(zhēng),雙方都計(jì)劃在2025年開始量產(chǎn)2nm工藝芯片。
但是兩家的工藝技術(shù)并不相同,臺(tái)積電的2nm工藝將繼續(xù)使用FinFET晶體管結(jié)構(gòu),但采用了新的Nanowire技術(shù),可以進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和間距。三星的2nm工藝將沿用GAA晶體管結(jié)構(gòu),但采用了新的MBCFET技術(shù),可以提高晶體管的性能和穩(wěn)定性。
目前來(lái)看,臺(tái)積電的技術(shù)相比三星的制程工藝技術(shù),還是略勝一籌,如果他們真的可以實(shí)現(xiàn)1nm級(jí)別,勢(shì)必在芯片界引起不小風(fēng)波,期待他們的后續(xù)消息吧。
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