智己汽車因標注錯誤發(fā)致歉函 但致歉函中也有錯誤

在近日的智己L6超級智能轎車發(fā)布會上,智己在介紹L6時將“智己L6超強性能版”與“小米SU7 Max”進行對比。智己錯誤地將小米SU7 Max的電機參數(shù)標注為“前IGBT后SiC”(實際前后均為SiC)。

在近日的智己L6超級智能轎車發(fā)布會上,智己在介紹L6時將“智己L6超強性能版”與“小米SU7 Max”進行對比。智己錯誤地將小米SU7 Max的電機參數(shù)標注為“前IGBT后SiC”(實際前后均為SiC)。

對于此問題,智己汽車科技有限公司聯(lián)席CEO劉濤以及智己汽車官方均發(fā)布了致歉聲明。

兩次致歉

第一次致歉是智己汽車聯(lián)席CEO劉濤在微博上發(fā)布的致歉聲明。

智己汽車聯(lián)席CEO劉濤稱:“由于產(chǎn)品信息的調(diào)研結果有誤,發(fā)布會上有一處信息錯誤。

小米SU7跟智己L6一樣,都是前后電機都使用SIC碳化硅模塊,小米SU7確實是我們非常尊敬的競爭隊友!

在此,我誠摯地向小米汽車和大家致歉?!?/p>

對于這樣的致歉聲明,小米公司并不買賬。小米公司表示:我們不接受個人輕描淡寫的非正式的道歉。我們再次敦促智己公司,立即公開澄清,并向被其誤導的公眾正式道歉!

需要注意的是,智己汽車聯(lián)席CEO劉濤在本次致歉中將“SiC”(碳化硅)錯誤地寫成了“SIC”。不過畢竟這是“個人輕描淡寫的非正式的道歉”,有些錯誤和筆誤似乎也可以理解。

在第二次致歉中,智己汽車官方發(fā)布了正式的“致歉函”。

智己汽車因標注錯誤發(fā)致歉函 但致歉函中也有錯誤

在致歉函中,智己汽車稱:“在剛剛結束的「超越一切向往」智己L6超級智能轎車發(fā)布會過程中,對標近期同級流量熱議的小米SU7產(chǎn)品力介紹過程中,由于團隊內(nèi)容審核疏漏,造成一處關鍵參數(shù)的錯誤標注,澄清如下:

小米SU7 Max版前后電機均采用SIC碳化硅模塊,與智己L6所采用的技術一致,均為行業(yè)頂尖的技術標準。

小米汽車及旗下產(chǎn)品SU7,是我們尊敬的競爭隊友!由于內(nèi)審出現(xiàn)疏漏,造成對小米汽車的負面影響,我們深表歉意,也向所有粉絲、用戶們誠摯致歉!”

相信大家不難發(fā)現(xiàn),在這篇蓋有“智己汽車科技有限公司公關部”公章的致歉函中,智己汽車依舊把“SiC”(碳化硅)錯誤地寫成了“SIC”。如果說前面聯(lián)席CEO劉濤發(fā)布的“個人致歉聲明”中寫錯算筆誤的話,但這種蓋有公章的文件也寫錯就確實有點不應該了。

截至發(fā)稿時,相關錯誤已被官方修正。

初中化學錯誤

隨著技術的日新月異,科技領域不斷孕育出眾多專業(yè)術語,這無疑為非本專業(yè)人士在撰寫相關文章時帶來了不小的挑戰(zhàn)。他們在嘗試運用這些術語時,偶爾出現(xiàn)誤用或誤解的情況也是情有可原的。

不過應該有不少接受過九年義務教育的朋友已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了,智己汽車在致歉函中的錯誤屬于“初中化學錯誤”。

以2019-2020學年初中化學《物質(zhì)構成的奧秘》專項訓練模擬測試中的某題為例,該題的第五小問為:“已知碳化硅中碳元素顯-4價,硅元素顯+4價,碳化硅的化學式為__.”

由此我們不難看出,正確書寫碳化硅的化學式是初中化學的基本要求。

另外以2023屆江西省九江市修水縣九年級化學第一學期期末統(tǒng)考試中的某題為例:

華為公司致力于核心技術的研發(fā),其自主研制的芯片已達到世界領先水平。該芯片的主要材料是高純度的單質(zhì)硅,其結構類似于金剛石。下列有關硅的說法正確的是

A.元素符號為SI

B.屬于非金屬元素

C.硅是地殼中含量最多的元素

D.單質(zhì)硅由分子構成

其中A選項由于硅元素符號為Si,故說法錯誤。

由于該選擇題屬于“簡單題”,所以我們可以相信大多數(shù)初中考生不會將“Si”(硅)錯誤地寫成“SI”。同理,也不會將“SiC”(碳化硅)錯誤地寫成了“SIC”。

小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理評價:請學習并尊重技術

在新浪微博上,小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理 @潘曉曉曉曉曉曉曉雯 發(fā)文表示;“碳化硅怎么寫:SiC,請學習并尊重技術?!?/p>

她還向網(wǎng)友表示:“我們常說的IGBT/SiC是指代電驅控制器中的功率模塊。是由一到多組功率芯片并聯(lián)組成的開關電路。有以Si為材料IGBT構型的芯片,有以SiC為材料MOSFET為構型的芯片(對,IGBT是構型,SiC是指芯片材料)。

功率模塊負責將電池的直流電轉化為交流電驅動電機,重要程度可想而知。SiC MOSFET相比Si IGBT幾乎沒有開關損耗。

因為SiC的制造工藝難度高,得片率、良品率低,導致SiC相比于Si,價格還在2~5倍。

這個配置非常昂貴,我們天天拉著工程師拆解技術。只有對它的原理、作用、發(fā)展趨勢都要了解,才能做出正確的取舍?!?/p>

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