HBM3E芯片

今日，半導體制造商SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破，公司成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就不僅將HBM產(chǎn)品的最大容量提升至前所未有的36GB，還…

三星對有關(guān)英偉達測試其高帶寬存儲芯片（HBM）的媒體報道再度做出了回應，表示測試正在“按計劃”進行。