今日，半導(dǎo)體制造商SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，公司成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就不僅將HBM產(chǎn)品的最大容量提升至前所未有的36GB，還進(jìn)一步鞏固了SK海力士在面向AI應(yīng)用的存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
據(jù)官方消息，SK海力士通過創(chuàng)新的技術(shù)手段，成功將12顆3GB DRAM芯片堆疊至同一封裝內(nèi)，而整體厚度卻保持與現(xiàn)有8層產(chǎn)品相當(dāng)，實(shí)現(xiàn)了容量50%的顯著提升。這一壯舉的背后，是公司對DRAM芯片制造工藝的極致追求，每個(gè)芯片被制造得比以往薄了40%，同時(shí)采用先進(jìn)的硅通孔（TSV）技術(shù)實(shí)現(xiàn)垂直堆疊，有效提升了空間利用率。
值得注意的是，SK海力士在追求更高容量的同時(shí)，也解決了堆疊更多變薄芯片所帶來的結(jié)構(gòu)性挑戰(zhàn)。公司獨(dú)家應(yīng)用的核心技術(shù)——先進(jìn)MR-MUF工藝，不僅使新品的散熱性能較上一代提升了10%，還顯著增強(qiáng)了控制翹曲的能力，確保了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性，為AI應(yīng)用的長期穩(wěn)定運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)保障。
自2013年首代HBM問世以來，SK海力士始終走在行業(yè)前沿，是迄今為止唯一一家開發(fā)并成功向市場供應(yīng)全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。此次12層HBM3E芯片的量產(chǎn)，不僅標(biāo)志著公司在HBM技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍，也充分滿足了人工智能領(lǐng)域?qū)Ω咚俣?、更大容量和更?qiáng)穩(wěn)定性的迫切需求。
尤為值得一提的是，這款12層HBM3E芯片在性能上同樣表現(xiàn)出色，其運(yùn)行速度高達(dá)9.6Gbps，在搭載四個(gè)HBM的GPU上運(yùn)行大型語言模型如“Llama 3 70B”時(shí)，每秒能夠讀取35次高達(dá)700億個(gè)整體參數(shù)的數(shù)據(jù)，為AI模型的訓(xùn)練和推理提供了強(qiáng)大的數(shù)據(jù)支持。
受此重大利好消息影響，SK海力士的股價(jià)在韓國市場應(yīng)聲上漲，漲幅超過8%，公司總市值也隨之突破120.34萬億韓元（約合6351.55億元人民幣），充分展現(xiàn)了市場對于公司技術(shù)創(chuàng)新能力和市場前景的高度認(rèn)可。
SK海力士表示，將繼續(xù)深耕HBM技術(shù)領(lǐng)域，不斷探索和創(chuàng)新，為全球AI產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。隨著12層HBM3E芯片的量產(chǎn)與應(yīng)用，一個(gè)全新的AI存儲時(shí)代正加速到來。
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